采用分子动力学方法模拟200eV的CH3粒子轰击到不同基底温度的钨样品上,分析了C、H原子在钨表面的沉积、散射
及溅射情况,结果表明C、H原子沉降量均随入射剂量的增加而增加。在基底温度为100K时,相同入射剂量下沉积的C
原子最多,而当基底温度为1200K,在入射剂量大于1.51016cm-2时,C原子的沉降量小于其它基底温度下的C的沉降
量。CH3在轰击样品时发生了分解,各种分解情况随基底温度变化较小,其中不同基底温度下一级分解率在40%上下
波动,二级分解在23%左右,而完全分解的CH3在9%左右。C、H原子的散射角主要分布在5~85°间,散射C原子分布
的最大值分布在40~50°或50~60°间,散射C原子分布的最小值分布在0~10°或80~90°间;而不同基底温度下散射H原子
分布的最大值均在40~50°间,最小值均在0~10°间。散射C原子的能量在0~140eV之间,散射能量为0~120eV的C原子
占散射总量的98%以上,散射C原子平均能量随基底温度的增加而增加,其变化从65.5eV增加到68.5eV;散射H原子
的能量也在0~140eV之间,但大约70%的散射H原子能量在40eV以内,散射平均能量随基底温度的增加而减小,其变
化从13.92eV减小到13.05eV。