射频偏置 ECR-PECVD 等离子体参数测量

核工业西南物理研究院 ›› 2004, Vol. 24 ›› Issue (1): 63-66.

射频偏置 ECR-PECVD 等离子体参数测量

许沭华，任兆杏，沈克明

（中国科学院等离子体物理研究所，合肥 230031）

收稿日期:2002-12-25 修回日期:2003-09-15 出版日期:2004-03-15 发布日期:2024-11-26
作者简介:许沭华（1965－）,男,副研究员,博士,中国科学院等离子体物理研究所博士后,研究方向：薄膜技术,低温等离子体应用。
基金资助:
国家自然科学基金项目（19835030）

Measurement of plasma parameters in rf-biased ECR-PECVD#br#

XU Shu-hua,REN Zhao-xing,SHEN Ke-ming

（Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Science, Hefei 230031）

Received:2002-12-25 Revised:2003-09-15 Online:2004-03-15 Published:2024-11-26

摘要/Abstract

摘要： 利用双探针对 ECR-PECVD 装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对 ECR-PECVD 等离子体参数的影响。结果表明，在 ECR-PECVD 等离子体装置中，基片射频偏置对电子温度有影响，而等离子体密度主要由微波功率所决定。

关键词: ECR-PECVD, 射频偏置, 双探针, 电子温度, 等离子体密度

Abstract: The plasma parameters in an rf-biased ECR-PECVD have been measured using double Langmuir probes．The effect of microwave power, magnetic electrical curent and gas pressure on the plasma parameters in ECR-PECVD under rf biasing have also been measured．The results indicate that the rf biasing in our dual ECR-rf configuration enhances the electron temperature,but the plasma density is mainly affected by ECR．

Key words: ECR-PECVD, Rf-bias, Double probe, Electron temperature, Plasma density

中图分类号:

O536

许沭华, 任兆杏, 沈克明. 射频偏置 ECR-PECVD 等离子体参数测量[J]. 核工业西南物理研究院, 2004, 24(1): 63-66.

XU Shu-hua, REN Zhao-xing, SHEN Ke-ming. Measurement of plasma parameters in rf-biased ECR-PECVD#br#[J]. Nuclear Fusion and Plasma Physics, 2004, 24(1): 63-66.

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