核聚变与等离子体物理 ›› 2018, Vol. 2 ›› Issue (1): 48-54.DOI: 10.16568/j.0254-6086.201801008
赵奉超,冯开明,曹启祥,栗再新,张国书
ZHAO Feng-chao, FENG Kai-ming, CAO Qi-xiang, LI Zai-xin, ZHANG Guo-shu
摘要:
根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案。包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25, 满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应。
中图分类号: