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Nuclear Fusion and Plasma Physics ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (1): 91-96.DOI: 10.16568/j.0254-6086.202201015

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Influence of CFETR blanket equivalent resistivity on the growth rate of plasma vertical displacement

CHEN Dong1, YE Min-you1, MAO Shi-feng1, CHEN Shu-liang2, LI Hang3, HUANG Tai-hao1   

  1. (1. School of Physical Sciences, University of Science and Technology of China, Hefei 230026;
    2. Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031;
    3. Shenzhen University, Shenzhen 518061)

  • Received:2020-04-15 Revised:2020-12-16 Online:2022-03-15 Published:2022-04-15

CFETR包层等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响

陈  东1,叶民友*1,毛世峰1,陈树亮2,李  航3,黄泰豪1   

  1. (1. 中国科学技术大学物理学院,合肥 230026;2. 中国科学院合肥物质科学研究院,合肥 230031;3. 深圳大学,深圳 518061)
  • 作者简介:陈东(1992-),男,四川绵阳人,博士研究生,从事核科学与技术的研究。
  • 基金资助:
    国家重点研发项目(2018YFE0302101)

Abstract: 基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型。在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响。结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率。

Key words: CFETR, Growth rate of vertical displacement, TOKSYS, Equivalent resistivity

摘要: 基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型。在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响。结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率。

关键词: CFETR, 垂直位移增长率, TOKSYS, 等效电阻率

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