[1] Carroll E, Klaka S, Linder S. Integrated gate-commutated thyristors: a new approach to high power electronics [C]. IEEE IEMDC, IGCT Press Conference, Milwaukee,USA: IEEE, 1997. 1-12.
[2] Steimer P K, Gruning H E, Werninger J, et al. IGCT: A new emerging technology for high power, low cost inverters [J]. IEEE Industry Applications Magazine, 1999, 2(4): 12-18.
[3] Lyons J P, Vlatkovic V, Espelage P M, et al. Innovation IGCT main drives [C]. Industry Applications Conference, 1999, Thirty-Fourth IAS Annual Meeting. Conference Record of the 1999 IEEE, 1999.
[4] 王彩琳, 安涛, 李福德. 集成门极换流晶闸管 IGCT [J]. 半导体情报, 2000, (6): 29-34.
[5] 吴煜东, 陈芳林, 雷云, 等. 集成门极换流晶闸管器件特性研究 [J]. 大功率变流技术, 2012, (6): 5-8.
[6] Schroder S, De Doncker R W. Physically based models of high power semiconductors including transient thermal behavior [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2003, 18(1): 231-235.
[7] 肖友国, 彭振东, 任志刚. 基于 Saber 的 IGCT 集总电荷模型研究 [J]. 电力电子技术, 2015, 49(11): 83-86.
[8] Wang X, Caiafa A, Hudgins J L, et al. Implementation and validation of a physics-based circuit model for IGCT with full temperature dependencies [C]. Power Electronics Specialists Conference, 2004, PESC 04, 2004 IEEE 35th Annual IEEE, 2004.
[9] Wang X, Hudgins J L, Santi E, et al. Destruction-free parameter extraction for a physics-based circuitsimulator IGCT model [J]. IEEE Transactions on Industry Applications, 2006, 42(6): 1395-1402.
[10] 王佳蕊, 孔力, 屈慧, 等. 基于傅里叶级数的改进型IGCT 物理模型 [J]. 高电压技术, 2017, (7): 85-92.
[11] 王佳蕊, 孔力, 周亚星, 等. 基于物理的 IGCT 电路模型参数提取方法 [J]. 电工电能新技术, 2017, (7):5-15.
[12] Kuhn H, Schroder D. A new validated physically based IGCT model for circuit simulation of snubberless and series operation [J]. IEEE Transactions on Industry Applications, 2002, 38(6): 1606-1612.
[13] 段大鹏, 江秀臣, 孙才新. IGCT 的原理性电学模型与动态特性仿真 [J]. 高电压技术, 2008, 34(1): 196-200.
[14] 王兴禄. IGCT 门极硬驱动开关电路的设计 [D]. 西安: 西安理工大学, 2016. 1-60.
[15] 杨丹. GCT 电路仿真模型的建立与验证 [D]. 西安: 西安理工大学, 2017. 1-57.
[16] 宋阳, 王兴禄. IGCT 电学模型的建立与验证 [J]. 现代电子技术, 2019, 42(03): 171-175+180.
[17] 严创业. IGCT 器件模型及拓扑结构仿真研究 [D]. 北京: 华北电力大学, 2005.
[18] 于克训, 任章鳌, 娄振袖, 等. 新型高压大功率器件IGCT 的建模与仿真 [J]. 湖北工业大学学报, 2010, 25(01): 89-94.
[19] 张新民, 李明勇, 代科. 基于 Saber 的高压大功率IGCT 器件的建模与仿真研究 [J]. 船电技术, 2012, 32(3): 41-44.
[20] 千金, 刘文华, 范子超, 等. IGCT 功能仿真模型及其应用 [J]. 电力电子技术, 2006, (6): 126-130.
[21] 袁立强, 赵争鸣, 白华, 等. 用于大功率变流器的IGCT 功能型模型(英文) [J]. 中国电机工程学报, 2004, (6): 69-73.
[22] 张华曹, 段飞. IGCT 综合型电荷控制模型的建立和仿真 [J]. 电子器件, 2003, (1): 25-28.
[23] Wikstrom T, Klaka S. A tiny dot can change the world high power technology for IGCT [J]. ABB Review, 2008, (3): 35-42.
[24] Wang J, Liang S, Deng L, et al. An improved SPICE model of SiC BJT incorporating surface recombination effect [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 34(7): 6794-6802.
[25] Liang S, Wang J, Peng Z, et al. A modified behavior spice model for SiC BJT [C]. 2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), IEEE, 2018.
[26] 株洲中车时代电气 tPower-SC1. CAC 4000-45-02 IGCT产 品 数 据 手 册 [S]. 株 洲 , 2016. http://www.sbu. crrczic.cc.
[27] 潘福泉, 王玉良, 李量钧. 沟通模型和晶闸管门极控制开通时间 [J]. 变频技术应用, 2012, (3): 49-54.
[28] 朱桂萍, 陈建业. 电力电子电路的计算机仿真(第 2 版)[M]. 北京: 清华大学出版社, 2008.
[29] 兀革, 张昌利. GTO 关断特性的 SPICE 模拟 [J]. 半导体学报(英文版), 1998, 19(5): 362-368.
[30] Zekry A A, Sayah G T, Soliman F A. SPICE model of thyristors with amplifying gate and emitter-shorts [J]. IET Power Electronics, 2014, 7(3): 724-735.
[31] ABB Product Data Manual. IGCT integrated gate commutated thyristors [W]. 2013. http://www.abb.com.
[32] 李宁, 王跃, 张长松, 等. 大功率 IGCT 变流器钳位电路参数的设计方法 [J]. 电网技术, 2014, (6): 1621-1626.
|